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RE200B RE200B 红外传感器
产品: 浏览次数:748RE200B RE200B 红外传感器 
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最后更新: 2023-02-13 15:11
 
详细信息

RE200B 红外传感器

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  http://www.mniot.com/images/jjjs.gif 双元热释电红外传感器RE200B

http://www.mniot.com/images/xs.gif

 

双元热释电红外传感器RE2008

灵敏元面积:2.0×1.0mm2

双元热释电红外传感器RE2008

输出信号:模拟型

基片材料:硅基片

厚度 0.5mm

工作波长 7-14μm

平均透过率 >75%

源极电压 0.4-1.1V(VD=10V,Rs=47kΩ,25℃)

输出信号 >2.5V(调制频率0.3-3.0Hz 带宽72.5db增益)

工作电流 8.5-24μA(VD=10V,Rs=47kΩ,25℃)

噪声 <200mV(mVp-p) (25℃)

工作温度 -20℃- +70℃

平衡度 <20%

保存温度 -35℃- +80℃

工作电压 2.2-15V

视场 139°×126°

说明

 

该传感器采用热释电材料极化随温度变化的特性探测红外辐射,采用双灵敏元互补方法抑制温度变化产生的干扰,提高了传感器的工作稳定性。

 

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